平成27年度 シラバス

授業科目				担当教員						開講期
基礎半導体工学				和田　直樹						通年
科目番号				対象学年				履修上の注意		単位数
121314				3年　電気情報工学科				選択必修		2単位
授業概要 　半導体物性に関する基礎知識をベースとして、pn接合ダイオード、バイポーラトランジスタ、電界効果トランジスタの原理と動作を説明する。また、光半導体素子(受光素子、LED、レーザ）の原理と動作を説明する。 　　到達目標 　　　1. 半導体物性の基本を理解する。 　　　2. ｐｎ接合ダイオードの原理と動作を理解する。 　　　3. バイポーラトランジスタの原理と動作を理解する。 　　　4. 電界効果トランジスタの原理と動作を理解する。 　　　5. 受光素子の原理と動作を理解する。 　　　6. 発光ダイオードとレーザの原理と動作を理解する。
教科書 基礎半導体工学　小林敏志、金子双男、加藤景三　著（コロナ社） 参考書 半導体工学　高橋清　森北出版株式会社
授業の進め方 現象を物理的に理解できるようにポイントを板書で説明する。一方的に授業を進めるのではなく、学生を指名して質問し、理解度を確認しつつ進める。
授業内容 前期 自己点検 後期 自己点検 1 半導体の特徴と性質、結晶構造 1 接合形電界効果トランジスタの構造と動作原理 2 キャリアの運動 2 接合形電界効果トランジスタの特性 3 エネルギー帯図 3 MOS電界効果トランジスタの構造と動作原理(1) 4 真性半導体と不純物半導体、キャリア濃度 4 MOS電界効果トランジスタの構造と動作原理(2) 5 キャリアの発生と消滅 5 MOS電界効果トランジスタの特性(1) 6 pn接合と空乏層、拡散電位 6 MOS電界効果トランジスタの特性(2) 7 pn接合ダイオードの構造と動作原理 7 集積回路 8 前期中間試験 8 後期中間試験 9 pn接合ダイオードの特性(1) 9 その他の電子デバイス 10 pn接合ダイオードの特性(2) 10 光起電力と太陽電池 11 金属と半導体接触 11 フォトダイオードとフォトトランジスタ 12 バイポーラトランジスタの構造と動作原理 12 発光ダイオード 13 バイポーラトランジスタの特性(1) 13 レーザの原理 14 バイポーラトランジスタの特性(2) 14 半導体レーザ 15 前期期末試験 15 後期期末試験
成績評価の方法 定期試験を80%、小テストを20%として評価する。
学生へのメッセージ(事前学習・関連科目・履修上の注意等) 　授業中、先生からの一方通行ではなく、なぜそうなるのか等、物理現象を自分で考える習慣を付け、必要なら質問をし、自分に取り込んだ形で講義を聴くように、意識的に努力すること。電気電子材料・電子工学と密接に関連しており、それらの教科書も活用して授業を進める。なお物理1と2、化学1と2の知識を持っていることを前提としている。