平成25年度 シラバス

授業科目					担当教員				開講期
基礎半導体工学					岡田　久夫				通年
科目番号					対象学年				履修上の注意		単位数
121312					3年　電気情報工学科				選択必修		2単位
授業概要 　電子工学で学んだ半導体に関する基礎知識に基づき、ｐｎ接合ダイオード、バイポーラトランジスタ、電界効果トランジスタの動作機構を講義する。また、光電子工学関連の半導体素子(受光素子、発光素子、光電池、レーザ）について講義する。また表示素子の代表として、LEDとOLEDの構造と原理を説明する。 　　到達目標 　　　1. ｐｎ接合の理論を学び、それに基づき、ｐｎ接合ダイオードの動作を理解する。 　　　2. バイポーラトランジスタの基本的動作を理解する。 　　　3. 電界効果トランジスタの基本的動作を理解する。 　　　4. 光導電効果と光起電力効果の原理を理解するとともに応用に関する知識を身につける。 　　　5. 発光ダイオードの原理を理解する。 　　　6. レーザの原理を理解する。
教科書 基礎半導体工学　小林敏志、金子双男、加藤景三　著（コロナ社） 参考書 半導体工学(深海登世司監修、東京電機大学出版局)
授業の進め方 授業は板書を主として進めるが、現象を物理的に理解できるようにポイントを板書に記載する。一方的に授業を進めるのではなく、学生を指名して質問し、理解度を確認しつつ進める。
授業内容 前期 後期 1 半導体の特徴と性質 1 MIS電界効果トランジスタの構造と動作原理(1) 2 半導体の結晶構造 2 MIS電界効果トランジスタの構造と動作原理(2) 3 珪素結晶の構造 3 MIS電界効果トランジスタの特性 4 真性半導体と不純物半導体 4 相補型電界効果トランジスタの構造と特性 5 pn接合と空乏層 5 集積回路 6 空乏層の性質 6 光電子工学の基礎 7 pn接合ダイオードの特性 7 光導電効果と光導電素子 8 前期中間試験 8 後期中間試験 9 バイポーラトランジスタの構造と動作原理(1) 9 光起電力と太陽電池 10 バイポーラトランジスタの構造と動作原理(2) 10 光ダイオードと光トランジスタ 11 バイポーラトランジスタの特性 11 発光ダイオード 12 接合形電界効果トランジスタの構造と動作原理(1) 12 レーザの原理 13 接合形電界効果トランジスタの構造と動作原理(2) 13 半導体レーザ 14 接合形電界効果トランジスタの特性 14 撮像素子と表示素子 15 前期期末試験 15 後期期末試験
成績評価の方法 定期試験を80%、課題とノートの提出点を20%として評価する。
学生へのメッセージ 　授業中、先生からの一方通行ではなく、なぜそうなるのか等、物理現象を自分で考える癖を付け、必要なら質問をし、自分に取り込んだ形で講義を聴くように意識的に努力すること。